2012年嵌入式系统设计师精编笔记:Flash存储器

2012-08-28
精品学习网考试频道小编应广大考生的需要,特为参加考试的考生策划了“2012年嵌入式系统设计师精编笔记:Flash存储器”专题等有关资料,供考生参考! Flash存储器 (1)Flash 存储器是一种非易失性存储器,根据结构的不同可以将其分为NOR Flash 和NAND Flash 两种。 (2)Flash存储器的特点: A、区块结构:在物理上分成若干个区块,区块之间相互独立。 B、先擦后写:Flash 的写操作只能将数据位从1写成0,不能从0写成1,所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块,而不是单个字节。 C、操作指令:执行写操作,它必须输入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段时序(NAND Flash)才能将数据写入。 D、位反转:由于Flash 的固有特性,在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免,只能通过其他手段对结果进行事后处理。 E、坏块:区块一旦损坏,将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。 (3)NOR Flash的特点: 应用程序可以直接在闪存内运行,不需要再把代码读到系统RAM 中运行。NOR Flash 的传输效率很高,在1MB~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 (4)NAND Flash的特点 能够提高极高的密度单元,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,这也是为何所有的U盘都使用NAND Flash 作为存储介质的原因。应用NAND Flash 的困难在于闪存需要特殊的系统接口。

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